MPF4393G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 100 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 10.0 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 10pF @15VVgs
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPF4393G引脚图与封装图
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在线购买MPF4393G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPF4393G | ON Semiconductor 安森美 | JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion | 搜索库存 |
替代型号MPF4393G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPF4393G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 30V 50mA 350mW | 当前型号 | JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion | 当前型号 |
| 型号： MPF4393RLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 30V 50mA 350mW | 完全替代 | JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion | MPF4393G和MPF4393RLRPG的区别 |
| 型号： MPF4393 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 30V 50mA 350mW | 类似代替 | JFET的开关 JFETs Switching | MPF4393G和MPF4393的区别 |
| 型号： MPF4393RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 N-Channel 350mW | 功能相似 | JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion | MPF4393G和MPF4393RLRP的区别 |