MMBF5460LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -10.0 mA
极性 P-Channel
耗散功率 200 mW
输入电容 7.00 pF
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBF5460LT1G引脚图与封装图
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在线购买MMBF5460LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF5460LT1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET - 通用晶体管P通道 JFET - General Purpose Transistor P-Channel | 搜索库存 |
替代型号MMBF5460LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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