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MSB92WT1G

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MSB92WT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MSB92WT1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MSB92WT1G ON Semiconductor 安森美 PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 搜索库存
替代型号MSB92WT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MSB92WT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 PNP -300V -500mA 150mW

当前型号

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

当前型号

型号: MSB92WT1

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -300V -500mA

完全替代

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

MSB92WT1G和MSB92WT1的区别

型号: MSB92ASWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -300V -500mA 150mW

类似代替

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

MSB92WT1G和MSB92ASWT1G的区别

型号: MSB92AWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -300V -500mA 150mW

类似代替

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

MSB92WT1G和MSB92AWT1G的区别