MBT3946DW1T1G
数据手册.pdfON SEMICONDUCTOR MBT3946DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -40V/60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -40V/40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -200mA/200mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -400mV/300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW Description & Applications| Features • Dual General Purpose Transistors • hFE, 100−300 • Low VCEsat, ≤ 0.4 V • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel • Device Marking: MBT3946DW1T1 = 46 • Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 描述与应用| 特点 •双通用 •HFE，100-300 •低VCE（sat），≤0.4 V •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 •器件标识：MBT3946DW1T1= 46 •无铅包装可能可用。 G-后缀表示一个Pb-Free无铅封装
