MMUN2211LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2211LT1引脚图与封装图
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在线购买MMUN2211LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2211LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 搜索库存 |
替代型号MMUN2211LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2211LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 50V 100mA 400mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MMUN2211LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | MMUN2211LT1和MMUN2211LT1G的区别 |
| 型号： MMUN2211LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SOT-23 新 | MMUN2211LT1和MMUN2211LT3G的区别 |
| 型号： MMUN2135LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 400mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR | MMUN2211LT1和MMUN2135LT1G的区别 |