MSB1218A-RT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MSB1218A-RT1G引脚图与封装图
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在线购买MSB1218A-RT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSB1218A-RT1G | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor | 搜索库存 |
替代型号MSB1218A-RT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSB1218A-RT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -45V -100mA 150mW | 当前型号 | PNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor | 当前型号 |
| 型号： MSB709RT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 45V 100mA | 完全替代 | MSB709RT1 PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 210~340 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 AR 放大器 | MSB1218A-RT1G和MSB709RT1的区别 |
| 型号： MSB709-RT1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 PNP -45V -100mA | 类似代替 | PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount | MSB1218A-RT1G和MSB709-RT1G的区别 |
| 型号： MSB1218A-RT1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -45V -100mA | 类似代替 | PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT | MSB1218A-RT1G和MSB1218A-RT1的区别 |