耗散功率 500000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.7nF @25V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 500000 mW
安装方式 Screw
引脚数 33
封装 E-3
高度 17 mm
封装 E-3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MWI75-12E8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: MWI75-12E8 品牌: IXYS Semiconductor 封装: E3 500000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3 | 当前型号 | |
型号: MWI50-12E7 品牌: IXYS Semiconductor 封装: E2 350000mW | 功能相似 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2 | MWI75-12E8和MWI50-12E7的区别 | |
型号: CM100TU-24F 品牌: Powerex 封装: Module 100A | 功能相似 | POWEREX CM100TU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 500W, 1.2kV, Module | MWI75-12E8和CM100TU-24F的区别 | |
型号: 6MBI100VA-060-50 品牌: 富士电机 封装: M636 | 功能相似 | IGBT 模块,6 包,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 Ic 值是额定的。 IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | MWI75-12E8和6MBI100VA-060-50的区别 |