MWI50-12E7、MWI75-12E8、6MBI50VA-120-50对比区别

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型号 MWI50-12E7 MWI75-12E8 6MBI50VA-120-50

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 31Pin

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor FUJI (富士电机)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis Screw Screw

引脚数 18 33 28

封装 E2 E-3 -

耗散功率 350000 mW 500000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

输入电容(Cies) 3.8nF @25V 5.7nF @25V -

额定功率(Max) 350 W 500 W -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 350000 mW 500000 mW -

极性 - - N-Channel

高度 17 mm 17 mm -

封装 E2 E-3 -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -