MBT2222ADW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MBT2222ADW1T1G引脚图与封装图 
MBT2222ADW1T1G引脚图
MBT2222ADW1T1G封装焊盘图
在线购买MBT2222ADW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MBT2222ADW1T1G. 双极性晶体管, HFE 300 | 搜索库存 |
替代型号MBT2222ADW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT2222ADW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 600mA 150mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MBT2222ADW1T1G. 双极性晶体管, HFE 300 | 当前型号 |
| 型号： MBT2222ADW1T1 品牌： 安森美 封装： SOT-363 Dual NPN 40V 600mA | 类似代替 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | MBT2222ADW1T1G和MBT2222ADW1T1的区别 |
| 型号： FFB2222A 品牌： 安森美 封装： SOT-363 300mW | 类似代替 | ON Semiconductor FFB2222A, 双 NPN 晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:100, 300 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-70封装 | MBT2222ADW1T1G和FFB2222A的区别 |
| 型号： MBT3904DW1T3 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA | 类似代替 | SC-88 NPN 40V 0.2A | MBT2222ADW1T1G和MBT3904DW1T3的区别 |