MUN5113T3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN5113T3G引脚图与封装图
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在线购买MUN5113T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5113T3G | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 搜索库存 |
替代型号MUN5113T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5113T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 300mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MUN5113T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 300mW | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | MUN5113T3G和MUN5113T1G的区别 |
| 型号： MUN5114T1 品牌： 安森美 封装： SOT-323/SC-70 PNP -50V -100mA | 完全替代 | MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | MUN5113T3G和MUN5114T1的区别 |
| 型号： MUN5133T1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5113T3G和MUN5133T1的区别 |