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MSA1162GT1G

MSA1162GT1G

数据手册.pdf

通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors

Look no further than "s PNP general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

MSA1162GT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MSA1162GT1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MSA1162GT1G ON Semiconductor 安森美 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors 搜索库存
替代型号MSA1162GT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MSA1162GT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-59 PNP -50V -100mA 200mW

当前型号

通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors

当前型号

型号: MSA1162GT1

品牌: 安森美

封装: SC-59 PNP -50V -100mA

功能相似

通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors

MSA1162GT1G和MSA1162GT1的区别

型号: 2SA1162-GRTE85L,F

品牌: 东芝

封装: TO-236 0.15W

功能相似

集成电路

MSA1162GT1G和2SA1162-GRTE85L,F的区别