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MMUN2216LT1

MMUN2216LT1

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MMUN2216LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8F ESD保护

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 160-350 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the Device Number to order the13 inch/10,000 unit reel. 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •SOT-23封装,可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线在焊接热应力吸收消除模具损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用的设备 号码编排7 inch/3000的单位卷轴。替换“T1” “T3”的设备号编排13 inch/10,000单位卷轴。

MMUN2216LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MMUN2216LT1引脚图与封装图
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MMUN2216LT1 ON Semiconductor 安森美 MMUN2216LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8F ESD保护 搜索库存
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型号: MMUN2216LT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

当前型号

MMUN2216LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8F ESD保护

当前型号

型号: MMUN2216LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

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