额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MUN5237T1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MUN5237T1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 当前型号 | |
型号: MUN5237T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5237T1和MUN5237T1G的区别 | |
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型号: DDTC144WUA-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN 100mA 3Pin SOT-323 T/R | MUN5237T1和DDTC144WUA-7-F的区别 |