MUN5236T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5236T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MUN5236T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5236T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MUN5213T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MUN5213T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-70 | MUN5236T1和MUN5213T1G的区别 |