MMUN2114LT3G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2114LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMUN2114LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2114LT3G | ON Semiconductor 安森美 | MMUN2114L: PNP 双极数字晶体管 BRT | 搜索库存 |
替代型号MMUN2114LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2114LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 400mW | 当前型号 | MMUN2114L: PNP 双极数字晶体管 BRT | 当前型号 |
| 型号： MMUN2114LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23 | MMUN2114LT3G和MMUN2114LT1G的区别 |
| 型号： UNR211400L 品牌： 松下 封装： Mini3-G1 PNP -50V -100mA | 功能相似 | Mini3-G1 PNP 50V 100mA | MMUN2114LT3G和UNR211400L的区别 |