MJD41CT4G中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD41CT4G引脚图与封装图 
MJD41CT4G引脚图
MJD41CT4G封装焊盘图
在线购买MJD41CT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD41CT4G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD41CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD41CT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD41CT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK NPN 100V 6A 1750mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD41CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFE | 当前型号 |
| 型号： NJVMJD41CT4G-VF01 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | Trans Npn 100V 6A Dpak-4 | MJD41CT4G和NJVMJD41CT4G-VF01的区别 |
| 型号： MJD41CRLG 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 6A 1750mW | 类似代替 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD41CT4G和MJD41CRLG的区别 |
| 型号： MJD41CT4 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 6A | 类似代替 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD41CT4G和MJD41CT4的区别 |