MMBT2222AWT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 28.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT2222AWT1G引脚图与封装图 
MMBT2222AWT1G引脚图
MMBT2222AWT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2222AWT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2222AWT1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MMBT2222AWT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2222AWT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 28A 150mW | 当前型号 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： P2N2222AG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR P2N2222AG. 放大器晶体管 | MMBT2222AWT1G和P2N2222AG的区别 |
| 型号： MMBT2222AWT1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 600mA | 类似代替 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | MMBT2222AWT1G和MMBT2222AWT1的区别 |
| 型号： MMST2222A-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 NPN 40V 600mA 200mW | 功能相似 | MMST2222A 系列 40 V 200 mW NPN 小信号 表面贴装 晶体管 - SOT-323-3 | MMBT2222AWT1G和MMST2222A-7-F的区别 |