MMBTA06WT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA06WT1G引脚图与封装图 
MMBTA06WT1G引脚图
MMBTA06WT1G封装焊盘图
在线购买MMBTA06WT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA06WT1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 150 mW, 500 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBTA06WT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA06WT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-70 NPN 80V 500mA 150mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA06WT1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 150 mW, 500 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： SMMBTA06WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70-3 NPN 150mW | 完全替代 | MMBTA06WT1: NPN 双极晶体管 | MMBTA06WT1G和SMMBTA06WT1G的区别 |
| 型号： MMBTA06WT1 品牌： 安森美 封装： SC-70 NPN 80V 500mA | 完全替代 | 驱动晶体管NPN硅 Driver Transistor NPN Silicon | MMBTA06WT1G和MMBTA06WT1的区别 |
| 型号： MMSTA06-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 NPN 80V 500mA 200mW | 功能相似 | DIODES INC. MMSTA06-7-F 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 100 hFE | MMBTA06WT1G和MMSTA06-7-F的区别 |