MMUN2211LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2211LT3G引脚图与封装图 
MMUN2211LT3G引脚图
MMUN2211LT3G封装焊盘图
在线购买MMUN2211LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2211LT3G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SOT-23 新 | 搜索库存 |
替代型号MMUN2211LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2211LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SOT-23 新 | 当前型号 |
| 型号： MMUN2211LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | MMUN2211LT3G和MMUN2211LT1G的区别 |
| 型号： MMUN2211LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 50V 100mA 400mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MMUN2211LT3G和MMUN2211LT1的区别 |
| 型号： MMUN2211LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MMUN2211LT3G和MMUN2211LT3的区别 |