MPSW42RLRAG中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW42RLRAG引脚图与封装图
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在线购买MPSW42RLRAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW42RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MPSW42RLRAG 双极性晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MPSW42RLRAG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW42RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 1W | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MPSW42RLRAG 双极性晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBTA42LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE | MPSW42RLRAG和MMBTA42LT1G的区别 |
| 型号： MPSW42G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 1000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPSW42G 双极晶体管 | MPSW42RLRAG和MPSW42G的区别 |
| 型号： MPSW42RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA | 类似代替 | 一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor | MPSW42RLRAG和MPSW42RLRA的区别 |