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MURB1660CTT4G

MURB1660CTT4G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MURB1660CTT4G  快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 8 A, 1.5 V, 60 ns, 100 A

整流器,10A 至 30A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK


立创商城:
MURB1660CTT4G


欧时:
### 整流器二极管,10A 至 30A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


贸泽:
Rectifiers 600V 16A Ultrafast


e络盟:
快速/超快二极管, 600 V, 8 A, 双共阴极, 1.5 V, 60 ns, 100 A


艾睿:
Rectifier Diode Switching 600V 16A 60ns 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Allied Electronics:
MURB1660CTT4G, REC D2PAK 16A 600V ULTFST


安富利:
Diode Switching 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Rectifier Diode Switching 600V 16A 60ns 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MURB1660CTT4G  Fast / Ultrafast Power Diode, 600 V, 8 A, Dual Common Cathode, 1.5 V, 60 ns, 100 A


Win Source:
DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK


MURB1660CTT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 1.5 V

热阻 50 ℃/W

反向恢复时间 60 ns

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A

正向电压Max 1.5 V

正向电流Max 16 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MURB1660CTT4G引脚图与封装图
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在线购买MURB1660CTT4G
型号 制造商 描述 购买
MURB1660CTT4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MURB1660CTT4G  快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 8 A, 1.5 V, 60 ns, 100 A 搜索库存
替代型号MURB1660CTT4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MURB1660CTT4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-263 600V 8A 3Pin

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MURB1660CTT4G  快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 8 A, 1.5 V, 60 ns, 100 A

当前型号

型号: MURB1660CTG

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封装: TO-263-3 600V 16A

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品牌: 安森美

封装: D2PAK-3 600V 16A

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型号: MURB1660CTT4

品牌: 安森美

封装: TO-263-3 600V 8A

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