MMBT4403LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
额定功率 225 mW
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT4403LT1G引脚图与封装图 
MMBT4403LT1G引脚图
MMBT4403LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT4403LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT4403LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT4403LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT4403LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT2907ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE | MMBT4403LT1G和MMBT2907ALT1G的区别 |
| 型号： MMBT2907ALT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT3G 双极性晶体管, PNP, -60V, SOT-23, 整卷 | MMBT4403LT1G和MMBT2907ALT3G的区别 |