MUN5311DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
通道数 2
极性 NPN, PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN5311DW1T1G引脚图与封装图 
MUN5311DW1T1G引脚图
MUN5311DW1T1G封装焊盘图
在线购买MUN5311DW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G. 标准恢复功率整流器 | 搜索库存 |
替代型号MUN5311DW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5311DW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G. 标准恢复功率整流器 | 当前型号 |
| 型号： PUMD3@115 品牌： 恩智浦 封装： NPN | 类似代替 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6Pin TSSOP T/R | MUN5311DW1T1G和PUMD3@115的区别 |
| 型号： PUMD3,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 功能相似 | NXP PUMD3,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363 | MUN5311DW1T1G和PUMD3,115的区别 |
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