MMBTA13LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 125 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 10000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA13LT1G引脚图与封装图 
MMBTA13LT1G引脚图
MMBTA13LT1G封装焊盘图
在线购买MMBTA13LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA13LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBTA13LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA13LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 300mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBTA13LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 完全替代 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MMBTA13LT1G和MMBTA13LT3G的区别 |
| 型号： MMBTA13LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 300mA | 完全替代 | 达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier TransistorsNPN Silicon | MMBTA13LT1G和MMBTA13LT1的区别 |
| 型号： MPSA13RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 500mA 625mW | 类似代替 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | MMBTA13LT1G和MPSA13RLRAG的区别 |