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MJ11022G

ON SEMICONDUCTOR  MJ11022G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJ11021PNP and MJ11022 NPN are complementary devices.

Features

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Pb-Free Packages are Available

得捷:
TRANS NPN DARL 250V 15A TO204


立创商城:
15 A,250 V,NPN 达林顿双极功率晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 250V 15A 175000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 250V; 15A; 175W; TO3


Verical:
Trans Darlington NPN 250V 15A 175000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJ11022G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE


MJ11022G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 15.0 A

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 400 @10A, 5V

最大电流放大倍数hFE 15000

额定功率Max 175 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 3MHz Min

耗散功率Max 175000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

宽度 26.67 mm

封装 TO-204-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJ11022G引脚图与封装图
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在线购买MJ11022G
型号 制造商 描述 购买
MJ11022G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJ11022G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE 搜索库存
替代型号MJ11022G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJ11022G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 15A 175000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJ11022G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE

当前型号

型号: MJ11022

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 15A

完全替代

达林顿功率晶体管互补硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

MJ11022G和MJ11022的区别