MJD127G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 100 V
输出电流 8 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 71.4℃/W RθJA
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 12
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
输入电压 5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD127G引脚图与封装图 
MJD127G引脚图
MJD127G封装焊盘图
在线购买MJD127G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD127G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJD127G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD127G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK PNP -100V -8A 1750mW | 当前型号 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： KSH127TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK PNP -100V -8A 1750mW | 完全替代 | Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; TO252/DPAK | MJD127G和KSH127TM的区别 |
| 型号： MJD127TF 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | MJD 系列 PNP 1.75 W 100 V 8 A 表面贴装 硅 达林顿 晶体管 - TO-252-3 | MJD127G和MJD127TF的区别 |