MMBTA64LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 20000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA64LT1G引脚图与封装图 
MMBTA64LT1G引脚图
MMBTA64LT1G封装焊盘图
在线购买MMBTA64LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA64LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBTA64LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA64LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -500mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE | 当前型号 |
| 型号： SMMBTA64LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 类似代替 | 达林顿晶体管 SS DL XSTR PNP 30V | MMBTA64LT1G和SMMBTA64LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA64LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -500mA | 类似代替 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | MMBTA64LT1G和MMBTA64LT1的区别 |
| 型号： MMBTA64 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 类似代替 | Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | MMBTA64LT1G和MMBTA64的区别 |