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MMBZ20VALT1G

MMBZ20VALT1G

数据手册.pdf

On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏

瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor

共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器

特别适用于自动插入

低泄漏


得捷:
TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23-3


立创商城:
单向 Vrwm:17V 40W


欧时:
### 瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 20V 225mW Dual Common Anode


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ20VALT1G  TVS二极管, MMBZ系列, 单向, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 引脚


艾睿:
Even low voltage discharges can cause damage to electronic components so get this tvs MMBZ20VALT1G ESD protection device from ON Semiconductor for added protection. This device&s;s maximum clamping voltage is 28 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It is made in a dual common anode|single configuration.


Allied Electronics:
MMBZ20VALT1G; Dual Uni-Directional TVS Diode; 40W; 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
双向 40 W 28 V 表面贴装 瞬态电压抑制器 - SOT-23-3


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 17V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: transil; 40W; 20V; 1.4A; SOT23; Package: reel, tape


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBZ20VALT1G  TVS Diode, MMBZ2 Series, Unidirectional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pins


Win Source:
TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23


MMBZ20VALT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 1 A

额定功率 40.0 W

击穿电压 20 V

通道数 2

针脚数 3

耗散功率 40 W

钳位电压 28 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 21 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 19 V

击穿电压 19 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Computers & Computer Peripherals, 汽车级, Industrial, Communications & Networking, Medical

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBZ20VALT1G引脚图与封装图
MMBZ20VALT1G引脚图

MMBZ20VALT1G引脚图

MMBZ20VALT1G封装焊盘图

MMBZ20VALT1G封装焊盘图

在线购买MMBZ20VALT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBZ20VALT1G ON Semiconductor 安森美 On Semiconductor 共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 搜索库存
替代型号MMBZ20VALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBZ20VALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 20V 1A 40W

当前型号

On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏

当前型号

型号: MMBZ20VALT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 20V 40W

完全替代

24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

MMBZ20VALT1G和MMBZ20VALT3G的区别

型号: MMBZ18VALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 18V 40W

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ18VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚

MMBZ20VALT1G和MMBZ18VALT1G的区别

型号: SZMMBZ20VALT3G

品牌: 安森美

封装: TO-236-3

类似代替

SZMMBZ20VALT3G 系列 19 V 40 W 齐纳 瞬态电压抑制器 - SOT-23

MMBZ20VALT1G和SZMMBZ20VALT3G的区别