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LBC846BWT1G

LBC846BWT1G

数据手册.pdf
Leshan Radio(乐山无线电) 电子元器件分类

LBC846BWT1G NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100Mhz 150~290 250mV~600mV SOT-323/SC-70 marking/标记 1B

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 65V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 150~290 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV~600mV 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Pb Free Package May be Available. The G.Suffix Denotes a Pb Free Lead Finish 描述与应用| 无铅包装可能可用。该G.Suffix表示 无铅无铅封装


立创商城:
NPN 65V 100mA


Win Source:
General Purpose Transistors NPN Silicon


LBC846BWT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 450

封装参数

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

LBC846BWT1G引脚图与封装图
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LBC846BWT1G Leshan Radio 乐山无线电 LBC846BWT1G NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100Mhz 150~290 250mV~600mV SOT-323/SC-70 marking/标记 1B 搜索库存