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LP2301LT1G

LP2301LT1G

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LP2301LT1G P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.069ohm SOT-23 marking/标记 1 简单驱动要求 小型封装

电源管理IC开发工具


立创商城:
P沟道 20V 2.3A


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET


LP2301LT1G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P

阈值电压 0.4 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 3.73 ns

下降时间 6.19 ns

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

LP2301LT1G引脚图与封装图
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