输出电压 1.235 V
输出电流 20 mA
输出电压Min 1.235 V
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
精度 20 mV
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
温度系数 ±80 ppm/℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
LM385D-1.2引脚图
LM385D-1.2封装图
LM385D-1.2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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LM385D-1.2 | ON Semiconductor 安森美 | 微功耗电压基准二极管 MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODES | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LM385D-1.2 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOIC 1.24V 8Pin | 当前型号 | 微功耗电压基准二极管 MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODES | 当前型号 | |
型号: LM385D-1.2G 品牌: 安森美 封装: SOIC 1.24V 8Pin | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR LM385D-1.2G. 芯片, 电压基准, 1.235V, 8-SOIC | LM385D-1.2和LM385D-1.2G的区别 | |
型号: LM385DG4-1-2 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 8Pin | 完全替代 | 1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。 | LM385D-1.2和LM385DG4-1-2的区别 | |
型号: LM385BD-1.2G 品牌: 安森美 封装: NSOIC 1.24V 20mA 8Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR LM385BD-1.2G 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, NSOIC-8 | LM385D-1.2和LM385BD-1.2G的区别 |