L6385中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 17.0V max
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
耗散功率 750 mW
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
L6385引脚图与封装图
暂无图片
在线购买L6385
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| L6385 | ST Microelectronics 意法半导体 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号L6385
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： L6385 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PDIP 17V | 当前型号 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： L6385D 品牌： 意法半导体 封装： Surface 17V 8Pin | 完全替代 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | L6385和L6385D的区别 |
| 型号： L6385E 品牌： 意法半导体 封装： DIP -300mV 8Pin | 类似代替 | STMICROELECTRONICS L6385E 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8 | L6385和L6385E的区别 |