额定电压DC 6.80 V
电容 25 pF
额定功率 2.00 kW
击穿电压 6.8 V
通道数 2
耗散功率 2 kW
钳位电压 20 V
脉冲峰值功率 2000 W
最小反向击穿电压 6.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5.00 mm
宽度 4.00 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LC03-6R2 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: 8-SOIC 6.8V 2kW | 当前型号 | USB1.1的TVS保护器件 | 当前型号 | |
型号: CDNBS08-PLC03-6 品牌: 伯恩斯 封装: NSOIC | 类似代替 | BOURNS CDNBS08-PLC03-6 DIODE, ESD PROTECTION, 6V, 2KW, NSOIC-8 新 | LC03-6R2和CDNBS08-PLC03-6的区别 | |
型号: LC03-6R2G 品牌: 安森美 封装: SOIC | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR LC03-6R2G 静电保护装置, 排列, 20 V, SOIC, 8 引脚, 6.8 V, 2 kW | LC03-6R2和LC03-6R2G的区别 | |
型号: LC03-6.TBT 品牌: Semtech Corporation 封装: SOIC 6V 2kW | 功能相似 | SEMTECH LC03-6.TBT 静电保护装置, TVS, 20 V, SOIC, 8 引脚, 2 kW | LC03-6R2和LC03-6.TBT的区别 |