上升/下降时间 600 ns
输出接口数 2
输出电流 1.8 A
静态电流 400 µA
上升时间 600 ns
下降时间 600 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 9V ~ 14V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 9 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 WDFN-10
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 0.8 mm
封装 WDFN-10
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
LM5104SDX引脚图
LM5104SDX封装图
LM5104SDX封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LM5104SDX | TI 德州仪器 | MOSFET DRVR 1.8A 2Out Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv 10Pin LLP EP T/R | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM5104SDX 品牌： TI 德州仪器 封装： Surface 10Pin | 当前型号 | MOSFET DRVR 1.8A 2Out Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv 10Pin LLP EP T/R | 当前型号 |
| 型号： LM5104SD/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： LLP 9V 1.8A 10Pin | 类似代替 | MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments | LM5104SDX和LM5104SD/NOPB的区别 |
| 型号： LM5104SD 品牌： 德州仪器 封装： Surface 14V 10Pin | 类似代替 | Driver 1.8A 2Out Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv 10Pin WSON EP T/R | LM5104SDX和LM5104SD的区别 |
| 型号： LM5104SDX/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： LLP | 功能相似 | 门驱动器 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay 10-WSON -40 to 125 | LM5104SDX和LM5104SDX/NOPB的区别 |
