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LM9061MX

LM9061MX

TI(德州仪器) 主动器件

MOSFET DRVR 1.35V 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC


艾睿:
Driver 1.35V 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


安富利:
MOSFET DRVR 1.35V 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


LM9061MX中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 7V ~ 26V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

LM9061MX引脚图与封装图
LM9061MX引脚图

LM9061MX引脚图

LM9061MX封装图

LM9061MX封装图

LM9061MX封装焊盘图

LM9061MX封装焊盘图

在线购买LM9061MX
型号 制造商 描述 购买
LM9061MX TI 德州仪器 MOSFET DRVR 1.35V 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R 搜索库存
替代型号LM9061MX
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LM9061MX

品牌: TI 德州仪器

封装: Surface 8Pin

当前型号

MOSFET DRVR 1.35V 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

当前型号

型号: LM9061M/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 7V 8Pin

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  LM9061M/NOPB  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 7V-26V电源, 145 µA输出, 10ms 延迟, SOIC-8

LM9061MX和LM9061M/NOPB的区别

型号: LM9061MX/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin

完全替代

7V 至 26V 高侧保护控制器 8-SOIC -40 to 125

LM9061MX和LM9061MX/NOPB的区别

型号: LM9061M

品牌: 德州仪器

封装: Surface 60V 8Pin

完全替代

高边 MOSFET

LM9061MX和LM9061M的区别