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LM5110-1M/NOPB

LM5110-1M/NOPB

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  LM5110-1M/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
LM5110-1M/NOPB


德州仪器TI:
5-A/3-A dual channel gate driver with 4-V UVLO, dedicated input ground, and shutdown input


欧时:
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


e络盟:
MOSFET驱动器, 2输出, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A和30ohm输出, SOIC-8


艾睿:
Sleep easy by implementing this LM5110-1M/NOPB power driver by Texas Instruments. This device has a maximum propagation delay time of 40 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 3.5 V and a maximum of 14 V.


安富利:
MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
Driver 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 5A; Channels:2; SO8


Verical:
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
DRIVER, GATE, DUAL, 5A COMPOUND, 5110


Win Source:
IC DRIVER DUAL 5A NEG VOUT 8SOIC


LM5110-1M/NOPB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 14.0V max

上升/下降时间 14ns, 12ns

输出接口数 2

输出电流 5 A

通道数 2

针脚数 8

静态电流 1.00 mA

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 25 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.5V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 3.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

LM5110-1M/NOPB引脚图与封装图
LM5110-1M/NOPB引脚图

LM5110-1M/NOPB引脚图

LM5110-1M/NOPB封装图

LM5110-1M/NOPB封装图

LM5110-1M/NOPB封装焊盘图

LM5110-1M/NOPB封装焊盘图

在线购买LM5110-1M/NOPB
型号 制造商 描述 购买
LM5110-1M/NOPB TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  LM5110-1M/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8 搜索库存
替代型号LM5110-1M/NOPB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LM5110-1M/NOPB

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 14V 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  LM5110-1M/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8

当前型号

型号: LM5110-1MX/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC-8

完全替代

具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

LM5110-1M/NOPB和LM5110-1MX/NOPB的区别

型号: LM5110-1M

品牌: 德州仪器

封装: Surface 8Pin

完全替代

LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

LM5110-1M/NOPB和LM5110-1M的区别

型号: LM5110-1MX

品牌: 德州仪器

封装: Surface 8Pin

类似代替

LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

LM5110-1M/NOPB和LM5110-1MX的区别