LMV822DR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
LMV822DR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 500 µA
电路数 2
通道数 2
共模抑制比 72 dB
输入补偿漂移 1.00 µV/K
带宽 5.50 MHz
转换速率 1.70 V/μs
增益频宽积 5.5 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 40 nA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
增益带宽 5.5 MHz
电源电压Max 5 V
电源电压Min 2.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
LMV822DR引脚图与封装图 
LMV822DR引脚图
LMV822DR封装图
LMV822DR封装焊盘图
在线购买LMV822DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LMV822DR | TI 德州仪器 | 低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
替代型号LMV822DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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