LM614IWM
TI(德州仪器)
电子元器件分类
LM614IWM中文资料参数规格
技术参数
输出电流 50.0 mA
供电电流 450 µA
电路数 4
通道数 4
共模抑制比 75 dB
输入补偿漂移 15.0 µV/K
转换速率 700 mV/μs
增益频宽积 800 kHz
输入补偿电压 1.5 mV
输入偏置电流 10 nA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
增益带宽 800 kHz
电源电压Max 32 V
电源电压Min 2.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
长度 10.5 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.3 mm
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
LM614IWM引脚图与封装图 
LM614IWM引脚图
LM614IWM封装图
LM614IWM封装焊盘图
替代型号LM614IWM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM614IWM 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 16Pin 700mV/us 4Channel | 当前型号 | OP Amp Quad GP 32V 16Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： LM614IWMX 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 16Pin 700mV/us 4Channel | 完全替代 | OP Amp Quad GP 32V 16Pin SOIC T/R | LM614IWM和LM614IWMX的区别 |
| 型号： LM614CWMX 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 16Pin 700mV/us 4Channel | 完全替代 | IC OPAMP GP 800kHz 16SOIC | LM614IWM和LM614CWMX的区别 |
| 型号： LM614CWM/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 800kHz 4Channel 16Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS LM614CWM/NOPB Operational Amplifier, Quad, 4 Amplifier, 800MHz, 0.7V/µs, 4V to 36V, SOIC, 16Pins | LM614IWM和LM614CWM/NOPB的区别 |