供电电流 4.5 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.5 W
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 3.00 MHz
转换速率 13.0 V/μs
增益频宽积 3 MHz
输入补偿电压 800 µV
输入偏置电流 50 pA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 500 mW
共模抑制比Min 70 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LF412CDE4引脚图
LF412CDE4封装图
LF412CDE4封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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LF412CDE4 | TI 德州仪器 | 双JFET输入运算放大器 DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LF412CDE4 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 3MHz 2Channel 8Pin | 当前型号 | 双JFET输入运算放大器 DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | 当前型号 | |
型号: LF412CD 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 3MHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | Texas Instruments | LF412CDE4和LF412CD的区别 | |
型号: LF412CDR 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 3MHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS LF412CDR 运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚 | LF412CDE4和LF412CDR的区别 |