
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 600mA
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 300
耗散功率Max 300 mW
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
最小包装 3000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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LMBT2222ALT1G | Leshan Radio 乐山无线电 | LMBT2222ALT1G | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LMBT2222ALT1G 品牌: Leshan Radio 乐山无线电 封装: SOT-23SOT-23-3 NPN 300mW | 当前型号 | LMBT2222ALT1G | 当前型号 | |
型号: SMMBT2222ALT1G 品牌: 安森美 封装: TO-236-3 NPN 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | LMBT2222ALT1G和SMMBT2222ALT1G的区别 | |
型号: SMMBT2222ALT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 300mW | 功能相似 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | LMBT2222ALT1G和SMMBT2222ALT3G的区别 | |
型号: S-LMBT2222ALT1G 品牌: 乐山无线电 封装: | 功能相似 | SOT-23 NPN 40V 600mA | LMBT2222ALT1G和S-LMBT2222ALT1G的区别 |