IXBT32N300
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXBT32N300中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3000 V
反向恢复时间 1.5 µs
额定功率Max 400 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBT32N300引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXBT32N300
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXBT32N300 | IXYS Semiconductor | Igbt 3000V 80A 400W To268 | 搜索库存 |
替代型号IXBT32N300
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXBT32N300 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 当前型号 | Igbt 3000V 80A 400W To268 | 当前型号 |
| 型号： IXBT32N300HV 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 类似代替 | IGBT 3000V 80A 400W TO268 | IXBT32N300和IXBT32N300HV的区别 |