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IXBT32N300、IXBT32N300HV对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXBT32N300 IXBT32N300HV

描述 Igbt 3000V 80A 400W To268IGBT 3000V 80A 400W TO268

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-268-3

击穿电压(集电极-发射极) 3000 V 3000 V

反向恢复时间 1.5 µs 1500 ns

额定功率(Max) 400 W 400 W

封装 TO-268-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅