IS62C1024AL-35QLI
数据手册.pdfRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
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芯片, 存储器, SRAM, 1 MB, 128K X 8位, 35 NS存取时间, 4.5 V至5.5 V 电源, SOP-32
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SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 35ns 32-Pin SOP
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Memory; SRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 35ns; SOP32
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# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS62C1024AL-35QLI IC, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 35 ns Access Time, 4.5 V to 5.5 V supply, SOP-32
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