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CY62128ELL-45SXI、IS62C1024AL-35QLI、CY62128ELL-45SXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62128ELL-45SXI IS62C1024AL-35QLI CY62128ELL-45SXIT

描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62128ELL-45SXI  芯片, SRAM, 1Mb, 128KX8, 5V, SOIC32RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62128ELL-45SXIT  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 45NS, 32-SOIC

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOIC-32 SOP-32 SOIC-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

针脚数 32 32 32

位数 8 8 8

存取时间 45 ns 35 ns 45 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) 45 ns 35 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

供电电流 16 mA - 16 mA

时钟频率 45.0 GHz - 45.0 GHz

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

长度 20.75 mm 20.75 mm -

宽度 11.43 mm 11.43 mm -

高度 2.82 mm 2.75 mm -

封装 SOIC-32 SOP-32 SOIC-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99