IRFR2307Z
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFR2307Z中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 53A
输入电容Ciss 2190pF @25VVds
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFR2307Z引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFR2307Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR2307Z 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 75V 53A | 当前型号 | DPAK N-CH 75V 53A | 当前型号 |
| 型号： AUIRFR2307Z 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-CH 75V 53A | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IR### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFR2307Z和AUIRFR2307Z的区别 |
| 型号： IRFR2307ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 75V 53A | 类似代替 | INFINEON IRFR2307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 0.0128 ohm, 10 V, 4 V | IRFR2307Z和IRFR2307ZPBF的区别 |
| 型号： IRFR2307ZTRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-CH 75V 53A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFR2307Z和IRFR2307ZTRLPBF的区别 |