IS43DR16640B-3DBL
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Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS43DR16640B-3DBL中文资料参数规格
技术参数
供电电流 220 mA
时钟频率 333 MHz
位数 16
存取时间 3 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 BGA-84
外形尺寸
封装 BGA-84
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS43DR16640B-3DBL引脚图与封装图
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在线购买IS43DR16640B-3DBL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS43DR16640B-3DBL | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器 | 搜索库存 |
替代型号IS43DR16640B-3DBL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS43DR16640B-3DBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 当前型号 | 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器 | 当前型号 |
| 型号： IS43DR16640A-3DBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA 84Pin | 类似代替 | DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 13.65MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TWBGA-84 | IS43DR16640B-3DBL和IS43DR16640A-3DBL的区别 |