IS43DR16640A-3DBL、IS43DR16640B-3DBL、IS43DR16640B-25DBLI对比区别

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型号 IS43DR16640A-3DBL IS43DR16640B-3DBL IS43DR16640B-25DBLI

描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 13.65MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TWBGA-84动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS43DR16640B-25DBLI  芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 1GB, 1.8V, 84BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 BGA-84 BGA-84 BGA-84

频率 333 MHz - -

供电电流 260 mA 220 mA 240 mA

存取时间 450 ps 3 ns 400 ps

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

针脚数 - - 84

时钟频率 - 333 MHz 400 MHz

位数 - 16 16

电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V

封装 BGA-84 BGA-84 BGA-84

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Each Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99