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IS42S32200L-6BLI

IS42S32200L-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2M x 32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32200L-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 100 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42S32200L-6BLI引脚图与封装图
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在线购买IS42S32200L-6BLI
型号 制造商 描述 购买
IS42S32200L-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 搜索库存
替代型号IS42S32200L-6BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32200L-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

当前型号

型号: IS42S32200E-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TFBGA 8000000B 5.5ns

类似代替

64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

IS42S32200L-6BLI和IS42S32200E-6BLI的区别