IS42S32200E-6BLI、IS42S32200L-6BLI对比区别

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型号 IS42S32200E-6BLI IS42S32200L-6BLI

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, ITSynchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

供电电流 160 mA 100 mA

位数 - 32

存取时间 5.50 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

内存容量 8000000 B -

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99