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FDP150N10A-F102

FDP150N10A-F102

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 100 V 50A(Tc) 91W(Tc) TO-220-3


得捷:
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100


立创商城:
FDP150N10A-F102


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


FDP150N10A-F102中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0125 Ω

耗散功率 91 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1080pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 91000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDP150N10A-F102引脚图与封装图
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FDP150N10A-F102 ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存