FDP150N10A-F102
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.0125 Ω
耗散功率 91 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1080pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 91000 mW
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |